報(bào)告題目：相變存內(nèi)計(jì)算材料與器件

報(bào) 告 人: 王疆靖  教授         

報(bào)告時(shí)間：2025年09月13日  16:00

報(bào)告地點(diǎn)：至誠會議室B-204

科技處 材料科學(xué)與工程學(xué)院（文物保護(hù)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院）

2025年9月12日

參加人員： 材料科學(xué)與工程學(xué)院相關(guān)教師、研究生、其他學(xué)院相關(guān)教師及研究生

報(bào)告人簡介：

王疆靖，西安交通大學(xué)教授，國家級青年人才，德國洪堡學(xué)者，華為“思源學(xué)者”。主要研究方向?yàn)橄嘧兇鎯?/span>/存算一體芯片材料與器件，在相變材料的合成與表征、存儲器件的制備與失效分析方面做出了原創(chuàng)性工作，已發(fā)表學(xué)術(shù)論文40篇，其中以第一/共一/通訊作者在Science、Nat Mater、Nat Commun、Adv Sci等國際頂尖期刊發(fā)表論文20余篇，授權(quán)發(fā)明專利7項(xiàng)。主持國家重大專項(xiàng)課題、國家自然科學(xué)基金及華為公司橫向項(xiàng)目等，作為骨干成員參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等。