12月12日，應輕工科學與工程學院（柔性電子學院）邀請，中國科學院西安光學精密機械研究所曹偉偉副研究員做客我校“未央導師論壇”，作了題為“氧化稼薄膜生長與光電性能研究”的學術報告，報告由輕工學院袁索超教授主持，輕工學院相關教師、研究生參與了本次報告會。

曹偉偉副研究員首先介紹了中國科學院西安光學精密機械研究所的基本情況，以及所在研究室的人才介紹與研究方向和研究成果。團隊人員全面研究了熱退火對 Ga2O3薄膜的結構、表面形貌、缺陷狀態和光學性能的影響。建立了退火氣氛、缺陷狀態與 Ga2O3薄膜光學特性之間的相關性，通過精確控制生長條件，成功制備出高質量的氧化稼薄膜，實現了對薄膜厚度、結晶度和表面平整度等參數的精準調控。團隊人員基于該薄膜制備了Ga2O3 MSM太陽盲紫外線探測器，該器件具有高達 800 A/W 的高響應率和 6×10¹⁴ 瓊斯的探測率，光暗電流比大于 10³，外部量子效率超過 10³，具有顯著增益。相關研究為其在航天航空以及深空探測方面的應用提供了廣闊的前景，同時該研究成果對于非視域光通信、導彈跟蹤以及火災預警等領域實現高靈敏探測具有重要意義，有望推動新一代高效低成本紫外日盲光電器件的研發與應用，為我國光電產業的發展注入新的活力，也標志著西安光機所在氧化稼薄膜研究領域達到了新的高度，持續為我國光學材料與器件技術的發展貢獻力量。

會后，曹偉偉針對師生所提出的問題進行了認真細致的解答，為光電探測和光通信相關方面的研究與未來發展趨勢進行了建議與指導，使參會師生深受啟發。

新聞小貼士：

曹偉偉，副研究員，中國科學院西安光學精密機械研究所空間科學微光探測技術研究室副主任，瞬態光學與光子技術國家重點實驗室光電探測器骨干成員，中國科學院超快診斷重點實驗室空間微光核心探測器技術攻關組組長。長期從事電真空、半導體光電探測器材料與器件工藝技術研究和空間科學探測應用。熟悉InGaAs、Ga2O3等材料與器件體系，掌握單光子成像探測器、電真空與半導體技術結合的光電混合探測（HPD）等光電探測器件的開發。所研制的紫外單光子陽極探測器搭載電離層成像探測儀在軌穩定運行4年，負責的一體化IsCMOS相機支撐高能宇宙輻射探測設施（HERD）完成國際聯合評審。

（核稿：劉國棟 編輯：劉倩）